外媒：英特尔7nm工艺理论上不会受到10nm延迟影响
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1月19日消息，据国外媒体报道，10nm工艺量产时间延迟，英特尔在芯片工艺方面已经落后于准备量产5nm工艺的台积电，也落后于三星，但外媒在报道中透露，英特尔的7nm工艺，理论上不会受到10nm工艺延迟的影响。
从外媒的报道来看，7nm工艺理论上不会受到10nm工艺延迟的影响，可能还是同采用新的技术有关，其是基于极紫外光刻(EUV)的独立的制程。
虽然英特尔的7nm工艺理论上不会受到10nm工艺延迟的影响，但其在这一工艺的采用方面还是落后于台积电和三星，为苹果、华为等公司代工芯片的台积电，在2018年就已率先量产7nm芯片，今年已是7nm投产的第三个年头，更先进的5nm工艺也即将量产，台积电方面预计今年可贡献10%的营收。
而反观英特尔，他们的7nm芯片目前还尚未推出，预计要在明年才会推出。
在去年5月份的英特尔投资者会议上，英特尔首席工程官兼技术、系统架构和客户集团的总裁Murthy Renduchintala曾透露，7nm是英特尔首次采用EUV技术，性能预计可提升20%，首款产品预计是用于数据中心人工智能和高性能计算的通用GPU，预计在2021年推出。
另外在此前所披露的未来十年的技术路线图中，7nm工艺也是计划在明年推出，2023年则会是更先进的5nm工艺。
外媒在10nm工艺延迟理论上不会影响7nm工艺的报道中，也提到了英特尔7nm芯片的量产事宜，英特尔CEO鲍勃·斯旺(Robert Swan)透露英特尔的首款7nm芯片在将在2021年四季度生产。外媒在报道中也提到，英特尔似乎已准备在明年四季度推出7nm(相当于台积电的5nm)的产品。
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